财报速递

即时快讯 长鑫科技 芯片与半导体 11月4日 11:20

长鑫科技旗下芯聚股权投资公司增资至约78.8亿

天眼查App显示，近日，长鑫芯聚股权投资（安徽）有限公司发生工商变更，注册资本由约63.8亿元人民币增至约78.8亿元人民币，增幅约23%。值得一提的是，今年以来，该公司已多次发生增资，注册资本由约56.3亿人民币增至约78.8亿人民币，增幅约40%。来源：财联社电报

即时快讯 长鑫科技 芯片与半导体 11月4日 08:08

长鑫科技：董事长提议将回购金额增加至不低于25亿元-50亿元

长鑫科技公告，近日，公司收到董事长朱一明先生的提议，提议将回购金额由“不低于人民币10亿元（含），不超过人民币20亿元（含）”增加至“不低于人民币25亿元（含），不超过人民币50亿元（含）”。来源：财联社电报

即时快讯芯片与半导体 11月3日 14:19

主力资金监控：长鑫科技净卖出超24亿

财联社盯盘数据显示，今日主力资金净流入电新行业、电力设备、电网设备等板块，净流出电子、半导体、通信等板块，其中电子板块净流出186.23亿元。个股方面，宁德时代资金净买入11.68亿元位居首位，N皇冠、阳光电源、贵州茅台主力资金净流入居前；长鑫科技遭净卖出24.37亿元位居首位，中际旭创、寒武纪、天孚通信主力资金净流出额居前。来源：财联社电报

存储光模块

即时快讯电子与通信 11月3日 10:59

主力资金监控：宁德时代净买入超11亿

财联社盯盘数据显示，今日早盘主力资金净流入电新行业、有色金属、电力设备等板块，净流出电子、半导体、通信等板块，其中电子板块净流出超43亿元。个股方面，宁德时代主力资金净买入超11亿元位居首位，N皇冠、阳光电源、慈文传媒获主力资金净流入居前；中际旭创遭净卖出超7亿元，寒武纪、长鑫科技、天孚通信资金净流出额居前。来源：财联社电报

即时快讯 澜起科技 芯片与半导体 11月2日 18:45

澜起科技：预计第四季度交付的互连类芯片在手订单金额为25亿元~27.9亿元

澜起科技(688008.SH)发布投资者关系活动记录表公告，因持续受益于行业需求旺盛，截至2026年10月26日，公司预计在2026年第四季度交付的互连类芯片在手订单金额为25.0亿元~27.9亿元，其主要增量来自于DDR5内存互连芯片。此外，JEDEC组织目前正持续对DDR6内存互连技术以及产品标准进行讨论，根据相关厂商的公开信息，DDR6RDIMM预计将配置2颗RCD芯片。来源：财联社电报

即时快讯 兆易创新 芯片与半导体 11月2日 16:32

兆易创新：已累计回购318.87万股金额达11.65亿元

兆易创新(603986.SH)公告称，截至2026年10月31日，公司通过集中竞价交易方式累计回购股份318.87万股，占总股本比例0.45%，已支付总金额11.65亿元。本次回购方案预计回购金额为10亿元至20亿元，回购股份将全部用于注销并减少注册资本。来源：财联社电报

即时快讯电子与通信 11月2日 14:21

主力资金监控：电子板块净流入近58亿

财联社盯盘数据显示，今日主力资金净流入电子、文化传媒、半导体等板块，净流出银行、机械设备、工业金属等板块，其中电子板块净流入58.13亿元。个股方面，东山精密资金净买入13.61亿元位居首位，东方财富、兆易创新、宁德时代主力资金净流入居前；天孚通信遭净卖出7.67亿元位居首位，长江电力、长鑫科技、胜宏科技主力资金净流出额居前。来源：财联社电报

存储芯片与半导体

即时快讯电子与通信 11月2日 11:01

主力资金监控：宁德时代净买入超7亿

财联社盯盘数据显示，今日早盘主力资金净流入非银金融、证券、文化传媒等板块，净流出机械设备、电子、有色金属等板块，其中非银金融板块净流入超23亿元。个股方面，宁德时代主力资金净买入超7亿元位居首位，东方财富、东山精密、君正股份获主力资金净流入居前；天孚通信遭净卖出超6亿元，长鑫科技、胜宏科技、工业富联资金净流出额居前。来源：财联社电报

芯片光模块

即时快讯芯片与半导体 11月2日 09:27

港股人工智能股走强傅里叶涨近12%

截至发稿，傅里叶(03625.HK)涨11.83%，剑桥科技(06166.HK)涨3.33%，兆易创新(03986.HK)涨3.17%，MINIMAX-W(00100.HK)涨2.79%。来源：财联社电报

芯片电子与通信

即时快讯 长鑫科技 芯片与半导体 11月1日 09:27

长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证

机构称国内存储厂商有望充分受益于新一轮存储景气周期，这家公司主要从事数据中心企业级SSD产品的研发，另一家有销售存储芯片产品。来源：财联社电报

即时快讯 长鑫科技 芯片与半导体 10月31日 20:08

长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证

长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。来源：财联社电报

即时快讯 长鑫科技 芯片与半导体 10月31日 18:26

长鑫科技：美光产生技术分歧，回应4F²架构争议

长鑫称，不同存储厂商基于技术积累、产线配置、专利布局及资本开支，往往会做出差异化的战略选择。来源：第一财经科技